Існує багато видів мішеней для розпилення з високими вимогами до чистоти, і вони також широко використовуються в промисловості. Сьогодні ми поговоримо про чотири типи мішеней для розпилення, які зазвичай використовуються в чотирьох основних галузях: мішені з алюмінію високої чистоти, мішені з титану, мішені з танталу та мішені з титану з вольфраму. Вони охоплюють галузі плоских дисплеїв, напівпровідників, накопичувачів і сонячних елементів.
Алюмінієва мішень (чистота 99,99 відсотка - 99.999 відсотка)
Алюміній високої чистоти та його сплави є одними з широко використовуваних плівкових матеріалів. У сфері застосування виготовлення чіпів НВІС вимагає дуже високої чистоти металу мішені для напилення, як правило, до 99,9995 відсотка, тоді як чистота металу плоских панелей і сонячних елементів трохи нижча.
Титанова мішень (чистота 99,99 відсотка - 99.999 відсотка)
Титан є одним із матеріалів бар’єрної плівки, який зазвичай використовується в мікросхемах НВІС (відповідним матеріалом провідного шару є алюміній). Титанова мішень буде використовуватися разом із титановим кільцем у процесі виготовлення попереднього чіпа. Основна функція полягає в тому, щоб сприяти процесу розпилення титанових мішеней, який в основному використовується у сфері виробництва чіпів НВІС.
Танталова мішень (інвентарна чистота 99 відсотків, 99,5 відсотків, 99,9 відсотків, 99,995 відсотків, 99,99 відсотків, 99,995 відсотків, 99,999 відсотків)
З вибуховим зростанням попиту на споживчі електронні продукти, такі як смартфони та планшети, попит на високоякісні мікросхеми значно зріс, і тантал став гарячим мінеральним ресурсом. Однак через дефіцит ресурсів танталу мішені з танталу високої чистоти є дорогими і в основному використовуються у великих інтегральних схемах та інших галузях.
Титанова вольфрамова мішень (чистота 99,95% на складі)
Вольфрамовий титановий сплав має низьку рухливість електронів, стабільні тепломеханічні властивості, хорошу корозійну стійкість і хорошу хімічну стабільність. В останні роки мішень для напилення з вольфрамового титанового сплаву використовувалася як матеріал контактного шару сіткових схем напівпровідникових мікросхем. Крім того, у металевому з’єднанні напівпровідникових приладів вольфрамові та титанові мішені можна використовувати як бар’єрні шари. Він використовується у високотемпературних середовищах, головним чином для НВІС і сонячних елементів.
